N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，3.8mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.8mΩ • 典型 RDS(on) = 2.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A）\n• 典型 Qg(tot) = 43 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A）\n• UIS 能力\n• 符合 RoHS 标准\n• 符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDI9409；Package：TO-262；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：627.2 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

文件：604.33 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

RF AMPLIFIER MODEL

文件：93.37 Kbytes 页数：1 Pages

APITECH

Alternator voltage regulator with load response control

Features ■ IC regulator for 12 V type alternator ■ Fixed frequency regulation loop ■ 130 mhigh side field driver ■ Fail safe device with double sensing of battery voltage (VB and VS) ■ Load response control (LRC) function activates after an initial time delay ■ Self start function from p

文件：166.18 Kbytes 页数：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体