N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，3.8mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.8mΩ • 典型 RDS(on) = 2.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A）\n• 典型 Qg(tot) = 43 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A）\n• UIS 能力\n• 符合 RoHS 标准\n• 符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDI9409；Package：TO-262；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：627.2 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Distributed Power Architectures and VRM

文件：419.44 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

Features ■ Typ RDS(on) = 2.3mΩ at VGS = 10V, ID = 80A ■ Typ Qg(tot) = 42nC at VGS = 10V, ID = 80A ■ UIS Capability ■ RoHS Compliant ■ Qualified to AEC Q101 Applications ■ Automotive Engine Control ■ Powertrain Management ■ Solenoid and Motor Drivers ■ Electronic Steering ■ Integrated St

文件：400.71 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体