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FDI9409_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,3.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDI9409_F085规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.8mΩ
特性 Features
• 典型 RDS(on) = 2.9 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)
• 典型 Qg(tot) = 43 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)
• UIS 能力
• 符合 RoHS 标准
• 符合 AEC Q101 标准
技术参数
- 制造商编号
:FDI9409_F085
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:
- V(BR)DSS Min (V)
:40
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:80
- PD Max (W)
:94
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:3.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:43
- Ciss Typ (pF)
:2980
- Package Type
:I2PAK-3 / D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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23+ |
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SOT363 |
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SOT363 |
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