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FDI9409_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,3.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDI9409_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,3.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 12:01:00

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FDI9409_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.8mΩ

特性 Features

• 典型 RDS(on) = 2.9 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)
• 典型 Qg(tot) = 43 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)
• UIS 能力
• 符合 RoHS 标准
• 符合 AEC Q101 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :FDI9409_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :94

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :43

  • Ciss Typ (pF)

    :2980

  • Package Type

    :I2PAK-3 / D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

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