选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Fairchild/ONDO204AH DO35 Axial |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
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Fairchild/ONSemiconductoDO-204AH |
56800 |
19+ |
DO-35 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
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Fairchild/ONDO204AH DO35 Axial |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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Fairchild |
33500 |
23+ |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Fairchild/ONDO204AH DO35 Axial |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
FDH633605采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FDH633605图片
FDH633605中文资料Alldatasheet PDF
更多FDH633605功能描述:MOSFET Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
FDH633605
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
卷带(TR)
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
DO-35
- 封装/外壳:
DO-204AH,DO-35,轴向
- 描述:
MOSFET N-CH DO-35