FDG6321

Dual N & P Channel Digital FET

GeneralDescription ThesedualN&P-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesigne

FDG6321

Dual N & P Channel Digital FET;

FDG6321

Dual N & P Channel Digital FET;

FDG6321C

双 N 和 P 沟道数字 FET 25V; •N沟道 0.50 A、25 V、RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V、 RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V。\n•P沟道 -0.41 A、-25 V、 RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V、RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。\n•超小封装外形SC70-6。\n•极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。\n•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。\n;

双N&P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

FDG6321C

Dual N & P Channel Digital FET

GeneralDescription ThesedualN&P-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesigne

FDG6321C

N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET