FDG328P中文资料P 沟道，2.5V，指定 PowerTrench® MOSFET，-20 V，-1.5 A，145 mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-1.5 A，-20 V
•RDS(ON) = 0.145 Ω @ VGS = -4.5 V
•RDS(ON) = 0.210 Ω @ VGS = -2.5 V
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.