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FDFS6N303	文件：96.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description The FDFS6N303 incorporates a high cell density MOSFET and low forward drop (0.35V) Schottky diode into a single surface mount power package. The MOSFET and Schottky diode are isolated inside the package. The general purpose pinout has been chosen to maximize flexibility and ea 文件：96.19 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDFS6N303	文件：68.82 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET with Schottky Diode 文件：68.82 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDFS6N303	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET with Schottky Diode	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多FDFS6N303供应商更新时间2026-1-21 10:32:00