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FDD9507L-F085

P-Channel POWERTRENCH® MOSFET, -40 V, -100 A, 4.4 mΩ

P-Channel POWERTRENCH® MOSFET, -40 V, -100 A, 4.4 mΩ • Typical RDS(on) = 3.3 mΩ at VGS = -10V, ID = -80 A\n• Typical Qg(tot) = 110 nC at VGS = -10V, ID = -80 A\n•UIS Capability\n•RoHS Compliant\n• Qualified to AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体

FDD9507L-F085

丝印:FDD9507L;Package:DPAK3;MOSFET - Power, Single P?륝hannel POWERTRENCH

文件:430.59 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDD9509L-F085

ON
TO-252

ON

FDD9509L-F085

Onsemi
TO-252

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳市众芯源半导体有限公司

FDFS6N548

ON
8-SOIC

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -40

  • VGS Max (V):

    ±16

  • VGS(th) Max (V):

    -3

  • ID Max (A):

    -100

  • PD Max (W):

    227

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    7.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    46

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    100

  • Ciss Typ (pF):

    6250

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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更多FDD9507L-F085供应商 更新时间2025-10-9 14:36:00