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FDD8874数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

FDD8874

参数属性

FDD8874 包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,116A,5.1mΩ
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:34:00

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FDD8874规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•RDS(ON) = 5.1 mΩ @ VGS = 10V,ID = 35A
•RDS(ON) = 6.4 mΩ @ VGS = 4.5V,ID = 35A
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•低栅极电荷
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FDD8874属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDD8874晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FDD8874

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :116

  • PD Max (W)

    :110

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :10

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :29

  • Ciss Typ (pF)

    :2990

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
安森美
21+
12588
原装正品,价格优势量大可定
询价
FAIRCHIL
2023+
TO-252
50000
原装现货
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仙童
06+
TO-252
12000
原装
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Fairchild/ON
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原厂渠道,现货配单
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Fairchild
23+
33500
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FAIRCHILD/仙童
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TO-252
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TO-252
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Fairchild
24+
TO-252-3
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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onsemi(安森美)
24+
TO-252
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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FAIRCHILD
24+
TO-252
5000
只做原装公司现货
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