FDD8874中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，116A，5.1mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD8874规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
•RDS(ON) = 5.1 mΩ @ VGS = 10V，ID = 35A
•RDS(ON) = 6.4 mΩ @ VGS = 4.5V，ID = 35A
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•低栅极电荷
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FDD8874属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDD8874晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：FDD8874
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：116
- PD Max (W)
：110
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：6.4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：5.1
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：10
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：2990
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ON |
2022+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
38550 |
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TO-252 |
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ON/安森美 |
25 |
6000 |
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原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 |
