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FDD86113	文件：454.31 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
FDD86113LZ	文件：354.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD86113LZ	文件：454.31 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
FDD86113LZ	文件：244.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 5.5 A, 104 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDT86113LZ	文件：179.19 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,3.3A,100m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDT86113LZ	文件：977.56 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
FDD86113
功能描述：
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD86113供应商更新时间2024-5-24 10:10:00

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