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FDD8424H_F085A	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V/-40 V、26/-20 A、24/54 mΩ、DPAK（4 引脚）N 沟道和 P 沟道 PowerTrench®; N-Channel: 40V, 20A, 24mΩ\nP-Channel: -40V, -20A, 54mΩ\nQ1： N 沟道\n 最大 rDS(on) = 24 mΩ（需 VGS = 10 V、ID = 9.0 A）\n 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = 4.5 V、ID = 7.0 A）Q2： P 沟道\nQ2: P-Channel\n 最大 rDS(on) = 54 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -6.5 A）\n 最大 rDS(on) = 70 mΩ（需 VGS = -4.5 V、ID = -5.6 A）\n 快速开关速度\n 符合 AEC Q101\n 符合 RoHS 标准\n; 这些双 N 沟道和 P 沟道增强模式功率 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDD8424H_F085A_13	文件：793.15 Kbytes Page：11 Pages	Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m廓 P-Channel: -40V, -20A, 54m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8444L	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD/仙童 TO-252	FAIRCHILD/仙童相关企业：深圳市纳艾斯科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDD8447LMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD/仙童 TO-252	FAIRCHILD/仙童相关企业：深圳台格电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDD86102	文件：0 bytes Page：0 Pages	仙童 TO-252	仙童相关企业：深圳市勤思达科技有限公司	仙童

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-free
Status：
Active
Description：
Dual N & P Channel PowerTrench® MOSFET
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
±3
ID Max (A)：
±20.0
PD Max (W)：
Q1
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
17
Ciss Typ (pF)：
N
Package Type：
DPAK-5

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