FDD3670中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FDD3670规格书详情
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
特性 Features
• 34 A, 100 V. RDS(ON) = 32 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 6 V
• Low gate charge (57 nC typical)
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
• High power and current handling capability
产品属性
- 型号：
FDD3670
- 功能描述：
MOSFET 100V NCh PowerTrench
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
15250 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
D-PAKTO-252 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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SOT-252 |
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FAIRCHILD |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-252 |
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24+ |
TO-252 |
9555 |
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询价 |
