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FDD306P中文资料百域芯数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDD306P

功能描述

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

679.42 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

BYCHIP

中文名称

百域芯

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 22:59:00

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FDD306P规格书详情

特性 Features

 VDS= -30V, ID= -20A

RDS(ON) < 34mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = -4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

产品属性

  • 型号:

    FDD306P

  • 功能描述:

    MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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