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FDD2670中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDD2670
厂商型号

FDD2670

功能描述

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

95.4 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-3 9:48:00

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FDD2670规格书详情

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.

特性 Features

• 3.6 A, 200 V. RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V

• Low gate charge

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• High power and current handling capability

产品属性

  • 型号:

    FDD2670

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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