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FDD306P中文资料PDF规格书

FDD306P
厂商型号

FDD306P

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

505.64 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 20:00:00

FDD306P规格书详情

General Description

This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management.

Features

■ –6.7 A, –12 V. RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 41 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = –1.8 V

■ Fast switching speed

■ High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

■ High power and current handling capability

Applications

■ DC/DC converter

产品属性

  • 型号:

    FDD306P

  • 功能描述:

    MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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