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FDD2670中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,200V,3.6A,130mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD2670

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,200V,3.6A,130mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 9:05:00

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FDD2670规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此,这是一款更易于驱动且更安全(在高频段也是如此)的MOSFET,可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性 Features

•3.6 A, 200 V
•RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10V
•低栅极电荷
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD2670

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :3.6

  • PD Max (W)

    :70

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :130

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :27

  • Ciss Typ (pF)

    :1228

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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