N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 200V, ID= 24 A RDS(ON)

文件：824.63 Kbytes 页数：6 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 16 A, 125 m廓

文件：1.16307 Mbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件：1.01032 Mbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，UniFETTM，200 V，16 A，125 mΩ，DPAK

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。 •RDS(on) = 125mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 8A\n•低栅极电荷（典型值 30nC） \n•低 Crss（典型值 25pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体