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IRF654A	文件：238.33 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowRDS(ON):0.108Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF654A	文件：280.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF654B	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF654B	文件：280.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI654B	文件：670.72 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS654	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS654A	文件：59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ·AvalancheRuggedTechnology ·RuggedGateOxideTechnology ·LowerInputCapacitance ·ImprovedGateCharge ·ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS654B	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS654B	文件：264.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFW654B	文件：670.72 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-3.5
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
125
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
75
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
6.2
Ciss Typ (pF)：
298
Package Type：
TSOT-23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	FDC654P	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT163	154751	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	FDC654P	FAIRCHILD/仙童	24+	SOT23-6	30000	只做正品原装现货	询价
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更多FDC654P供应商更新时间2025-7-28 8:10:00

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