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S638	文件：418.5 Kbytes Page：1 Pages	350WATTSDC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
SA638	文件：48.5 Kbytes Page：5 Pages	IS-54IFreceiver DESCRIPTION TheSA638isanIFreceiverchipwhichservesthedualmodefunctionalityrequiredbytheIS–54standardsforNorthAmericancellulartelephones.ItprovidesforboththeanalogFM(AMPSmode)andDQPSK(TDMAdigitalmode)IFreceivefunctionsinamonolithicBiCMOSIntegratedCircuit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
SB638ZZ	文件：1.09946 Mbytes Page：1 Pages	StainlessSteelSmallDeepGrooveBallBearings	MISUMIMISUMI Group Inc 米思米	MISUMI
SIC638	文件：325.29 Kbytes Page：18 Pages	50AVRPower짰IntegratedPowerStage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIC638	文件：325.93 Kbytes Page：18 Pages	50AVRPower짰IntegratedPowerStage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIC638A	文件：325.29 Kbytes Page：18 Pages	50AVRPower짰IntegratedPowerStage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIC638A	文件：325.93 Kbytes Page：18 Pages	50AVRPower짰IntegratedPowerStage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIC638DB	文件：325.93 Kbytes Page：18 Pages	50AVRPower짰IntegratedPowerStage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIDR638DP	文件：182.68 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR638ADP	文件：406.21 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
-1.5
ID Max (A)：
-4.5
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
65
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
48
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
11
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
10
Ciss Typ (pF)：
1160
Package Type：
TSOT-23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDC638P供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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