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MN638S	文件：312.1 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage VCEO:380V(Min) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=4A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighvoltageandgeneralpurposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MUR638CT	文件：60.36 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MVCO638A	文件：360.62 Kbytes Page：7 Pages	SMTVoltageControlledOscillator	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
NB638	文件：765.42 Kbytes Page：19 Pages	HighEfficiency,FastTransient,7A,28VSynchronousStep-downConverterinaTiny3x4mmQFNPackage	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
NB638DL	文件：765.42 Kbytes Page：19 Pages	HighEfficiency,FastTransient,7A,28VSynchronousStep-downConverterinaTiny3x4mmQFNPackage	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
PD638B	文件：145.94 Kbytes Page：7 Pages	2.75횞5.25mmSiliconPINPhotodiode	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
PD638B	文件：153.31 Kbytes Page：7 Pages	2.75x5.25mmSiliconPINPhotodiode	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
PD638C	文件：151.14 Kbytes Page：7 Pages	2.75x5.25mmSiliconPINPhotodiode	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PD638C	文件：138.75 Kbytes Page：7 Pages	2.75횞5.25mmSiliconPINPhotodiode	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
S638	文件：418.5 Kbytes Page：1 Pages	350WATTSDC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX

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详细参数

型号：
FDC638P
功能描述：
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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