首页>FDC6312P>规格书详情

FDC6312P数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FDC6312P

功能描述

双 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V 指定,-20V,-2.3A,115mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 20:25:00

人工找货

FDC6312P价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDC6312P规格书详情

描述 Description

这些P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•–2.3 A,–20 V。
•VGS = –4.5 V时,RDS(ON) = 115 mΩ
•VGS = –2.5 V时,RDS(ON) = 155 mΩ
•VGS = –1.8 V时,RDS(ON) = 225 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•SuperSOT™-6封装: 小尺寸(比标准SO-8小72%);薄型(1mm厚)。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC6312P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-2.3

  • PD Max (W)

    :0.96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=155

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=115

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.4

  • Ciss Typ (pF)

    :467

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOT23-6
7200
只做原装支持终端
询价
ON/安森美
21+20+
SOT23-6
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON/安森美
23+
TSOP-6
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ONSEMI/安森美
25+
SOT23-6
20300
ONSEMI/安森美原装特价FDC6312P即刻询购立享优惠#长期有货
询价
fai
24+
sot23-6
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
询价
ON
2024+
SOT23-6
500000
诚信服务,绝对原装原盘
询价
FAIRCHILD
0849+
SOT23-6
60
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON/安森美
23+
SOT-163
50000
原装正品 支持实单
询价
NA
23+
NA
26094
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业
询价