Dual N-Channel , Digital FET

General Description These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed espec

文件：73.93 Kbytes 页数：4 Pages

Fairchild

仙童半导体

Dual N-Channel , Digital FET

XW

芯微半导体

Dual N-Channel , Digital FET

ONSEMI

安森美半导体

丝印：301；Package：SOT-26；Dual N-Channel , Digital FET

General Description These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed espec

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Fairchild

仙童半导体

丝印：301；Package：SOT-26；Dual N-Channel , Digital FET

文件：374.3 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

Dual N-Channel , Digital FET

文件：374.3 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：301P；Package：SOT23-6；Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：870.8 Kbytes 页数：3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

双 N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。 由于不要求偏压电阻，此类N沟道FET能替代多种具有不同偏压电阻的数字晶体管。 •25V、0.22A（连续值）、0.5A（峰值） \n•RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V\n•RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V\n•栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V\n•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型;

ONSEMI

安森美半导体