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FDC602P中文资料P 沟道 PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.5A,35mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC602P

功能描述

P 沟道 PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.5A,35mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 15:16:00

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FDC602P规格书详情

描述 Description

此P沟道2.5V额定MOSFET采用稳固栅极版本的飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-5.5 A, -20 V
•RDS(on) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5V
•RDS(on) = 50 mΩ @ VGS = - 2.5V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC602P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-5.5

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :35

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :18

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :14

  • Ciss Typ (pF)

    :1456

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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