FDC602P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC602P规格书详情
描述 Description
此P沟道2.5V额定MOSFET采用稳固栅极版本的飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-5.5 A, -20 V
•RDS(on) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5V
•RDS(on) = 50 mΩ @ VGS = - 2.5V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC602P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-5.5
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：18
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：1456
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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