P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • –5.5 A, –20 V RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

P 沟道 PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.5A，35mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET采用稳固栅极版本的飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。 •-5.5 A, -20 V\n•RDS(on) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5V\n•RDS(on) = 50 mΩ @ VGS = - 2.5V\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON);

ONSEMI

安森美半导体