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FDC602P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDC602P
厂商型号

FDC602P

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

216.51 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 18:00:00

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FDC602P规格书详情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

Features

• –5.5 A, –20 V RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 50 mW @ VGS = –2.5 V

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

Applications

• Battery management

• Load switch

• Battery protection

产品属性

  • 型号:

    FDC602P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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