FDC602P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FDC602P规格书详情
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).
Features
• –5.5 A, –20 V RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 50 mW @ VGS = –2.5 V
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
Applications
• Battery management
• Load switch
• Battery protection
产品属性
- 型号:
FDC602P
- 功能描述:
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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ON/安森美 |
2023+ |
SOT23-6 |
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FAIRCHILD |
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ON/安森美 |
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SOT23-6 |
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ON/安森美 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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SOT-23-6 |
30000 |
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ON(安森美) |
24+ |
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