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FDBL86366_F085中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，220A，3.0mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDBL86366_F085规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 220A, 3.0mΩ
特性 Features
• 典型 RDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A时）
• 典型值 Qg(tot) = 86 nC（VGS = 10V, ID = 80 A时）
• UIS 能力
• 符合RoHS标准
• 符合 AEC Q101 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FDBL86366_F085属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ONSEMI制造生产的FDBL86366_F085晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：FDBL86366_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：220
- PD Max (W)
：300
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：3
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：86
- Ciss Typ (pF)
：6320
- Package Type
：TO-LL 8L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
21+ |
8-HPSOF |
20000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
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onsemi |
23+ |
1250 |
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询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
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询价 | ||
ON |
2022+ |
TO-LL 8L |
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询价 | ||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
HPSOF8L |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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ONSEMI/安森美 |
22+ |
HPSOF-8 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |
