丝印：FDB9403L；Package：D2-PAK；N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =1.2mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件：331.21 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40 V，110 A，1.2 mΩ

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 40 V, 110 A, 1.2 mΩ • 典型 RDS(on) = 1.0 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A）\n• 典型 Qg(tot) = 186 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A）\n• UIS 能力\n• 符合 RoHS 标准\n• 符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

RF AMPLIFIER MODEL

文件：93.54 Kbytes 页数：1 Pages

APITECH

16-Channel, 12-Bit Data Acquisition System

文件：3.27204 Mbytes 页数：4 Pages

APITECH

Specification for an SMD LC Band Reject Filter

文件：199.64 Kbytes 页数：2 Pages

MTRONPTI