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FDB86366_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,110A,3.6mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB86366_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,110A,3.6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 20:49:00

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FDB86366_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 110A, 3.6mΩ

特性 Features

• 典型值 RDS(on) = 2.8 mΩ(VGS = 10V, ID = 80 A时)
• UIS 能力
• 符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• Automotive Engine Control
• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Integrated Starter/Alternator
• Primary Switch for 12V Systems

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB86366_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :110

  • PD Max (W)

    :176

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :86

  • Ciss Typ (pF)

    :6280

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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