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FDB86366_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，110A，3.6mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 110A, 3.6mΩ • 典型值 RDS(on) = 2.8 mΩ（VGS = 10V, ID = 80 A时）\n• UIS 能力\n• 符合 AEC Q101 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB86366_F085	文件：470.92 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：470.92 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDBL86366_F085	文件：408.75 Kbytes Page：6 Pages	Automotive Engine Control 文件：408.75 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
FDBL86063-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	MO-299A	ONSEMI 安森美半导体上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
110
PD Max (W)：
176
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
86
Ciss Typ (pF)：
6280
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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更多FDB86366_F085供应商更新时间2025-11-23 15:08:00

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