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FDMA6676PZ	文件：398.03 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Single,P-Channel,POWERTRENCH	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDMC6676BZ	文件：298.735 Kbytes Page：7 Pages		FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 PDF上传者：深圳德田科技有限公司	Fairchild
FDP6676	文件：333.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=84A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP6676	文件：82.16 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedfor“lowside”synchronousrectifieroperation,providinganextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6676S	文件：332.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP6676S	文件：116.99 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET? GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP/B6676SincludesanintegratedSchottky	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6676	文件：480.03 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features •IncludesSyncFETSchottkybodydiode •Lowgatecharge(45nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyfor extremelylowRDS(ON)andfastswitching •Highpowerandcurrenthandlingcapability RoHSCompliant (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=13A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6676	文件：99.8 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6676AS	文件：542.88 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDS6676ASisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6676ASincludesanintegratedSchottkydiod	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6676AS	文件：480.03 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features •IncludesSyncFETSchottkybodydiode •Lowgatecharge(45nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyfor extremelylowRDS(ON)andfastswitching •Highpowerandcurrenthandlingcapability RoHSCompliant (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=13A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

详细参数

型号：
FDB6676S_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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