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详细参数

型号：
FDB6676S_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FDB6676SMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	FDB6676SMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-263	2040	原装现货假一赔十	询价
深圳市博中泰实业有限公司	FDB6676SMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-263	60000		询价
深圳市一线半导体有限公司	FDB667G	FSC	24+	TO-263	46		询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FDB66870AL	fairchild	1709+	to-263/d2	32500	普通	询价
深圳市鹏和科技有限公司	FDB6688	FCS	24+	TO-263	5000	只做原装公司现货	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	FDB6688	FCS	20+	TO-263	800	现货很近!原厂很远!只做原装	询价

更多FDB6676S_Q供应商更新时间2025-7-26 11:00:00

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