FDB20N50F中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，20 A，260 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FDB20N50F规格书详情
描述 Description
UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 220 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V, ID = 10 A
•低栅极电荷（典型值 50 nC）
•低 Crss（典型值 27 pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高dv/dt能力
•符合 RoHS 标准
•符合JEDEC标准JESD22-A113F和IPC/JEDEC J-STD-020D.1
应用 Application
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• AC-DC Power Supplies
• LCD / LED / PDP TV
技术参数
- 制造商编号
：FDB20N50F
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：5
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：20
- PD Max (W)
：250
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：260
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：50
- Ciss Typ (pF)
：2550
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
18+ |
TO-263 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
onsemi / Fairchild |
2025+ |
SC-70-3 |
55740 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-263 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-263 |
30 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TO-263-2 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
24+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 |
