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IXFP12N50	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=500mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP12N50P	文件：150.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiperFET Polar™PowerMOSFETHiperFET™ N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP12N50PM	文件：114.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar™PowerMOSFETHiPerFET™(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Plasticovermoldedtabforelectricalisolation •Internationalstandardpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easyt	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N50F	文件：303.26 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETsF-Class:MegaHertzSwitching HiPerRF™PowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA12N50P	文件：298.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA12N50P	文件：164.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •Dynamicdv/dtRating •AvalancheRated •FastIntrinsicRectifier •LowQG •LowRDS(on) •LowDrain-to-TabCapacitance •LowPackageInductance Advantages •EasytoMount	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH12N50	文件：65.16 Kbytes Page：1 Pages	12AMPS,450-500V,0.4OM/0.5OM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH12N50	文件：321.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH12N50A	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	StandardPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM12N50	文件：65.16 Kbytes Page：1 Pages	12AMPS,450-500V,0.4OM/0.5OM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
FDB12N50UTM_WS
功能描述：
MOSFET 500V 10A 0.8Ohm N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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