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FDB070AN06A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 Power Trench® MOSFET 60V，80A，7mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification. •RDS(on) = 6.1mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 80A\n•QG(tot) = 51nC（典型值）@ VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 Qrr体二极管\n•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB070AN06A0	文件：599.61 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m 文件：599.61 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP070AN06A0	文件：599.61 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m 文件：599.61 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB33N25TM	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD/仙童 TO-263	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDB8443	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD TO263	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市旺财半导体有限公司	Fairchild

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更多FDB070AN06A0供应商更新时间2025-10-5 16:36:00