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FDB024N04AL7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V, 219A, 2.4mΩ 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 2.0mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 80A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 84nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB024N04AL7	文件：390.07 Kbytes Page：9 Pages	FDB024N04AL7 N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：390.07 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB33N25TM	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDB8443	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市旺财半导体有限公司	Fairchild
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
219
PD Max (W)：
214
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
84
Ciss Typ (pF)：
5490
Package Type：
D2PAK-7/TO-263-7

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