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FDB016N04AL7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，306A，1.6mΩ 此 N 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on)=1.16mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID=80A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG=129nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB016N04AL7	文件：1.42755 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 306A, 1.6mW 文件：1.42755 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDB0170N607L	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ON/安森美上传：深圳市恒佳微电子有限公司	ON/安森美
FDB33N25TM	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDB3632	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂封装	ON 上传：深圳市誉兴微科技有限公司	ON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
306
PD Max (W)：
283
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
129
Ciss Typ (pF)：
8715
Package Type：
D2PAK-7/TO-263-7

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更多FDB016N04AL7供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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