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FDB0165N807L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，310A，1.6mΩ 此 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低工业应用的导通阻抗并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 1.6 mΩ（VGS = 10 V、ID = 36 A）\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n• 高性能沟槽技术可实现极低的 rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB0170N607L	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ON/安森美上传：深圳市恒佳微电子有限公司	ON/安森美
FDB33N25TM	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDB8443	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市旺财半导体有限公司	Fairchild
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
310
PD Max (W)：
300
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6.9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
217
Ciss Typ (pF)：
16900
Package Type：
D2PAK-7/TO-263-7

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更多FDB0165N807L供应商更新时间2025-12-21 16:12:00

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