FCPF16N60NT

功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，16 A，199 mΩ，TO-220F; •RDS(on) = 170mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 8A\n•超低栅极电荷（典型值Qg = 40.2nC )\n•低有效输出电容（典型值Coss.eff = 176pF )\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n;

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

FCPF16N60NT

N-Channel MOSFET 600V, 16A, 0.170W

FCPF16N60NT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FMC16N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FMC16N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FMC16N60ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.47Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon