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FMC16N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:532.12 Kbytes 页数:5 Pages

FUJI

富士通

FMC16N60ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.47Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件:333.18 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FMC16N60ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:583.63 Kbytes 页数:5 Pages

FUJI

富士通

FMC16N60E

功率MOSFET 600V-700V

FUJI

富士通

FMC16N60ES

功率MOSFET 600V-700V

FUJI

富士通

详细参数

  • 型号:

    FMC16N60E

  • 制造商:

    FUJI

  • 制造商全称:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI/富士电机
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更多FMC16N60E供应商 更新时间2026-1-17 10:02:00