KU,K-Band Poewr GaAs Modules

FEATURE *High Output Power: P1dB = 12dBm(Typ,) *High Gain: G1dB = 13.5dB(Typ,) *Low In/Out VSWR *Low Noise; NF = 2.5dB (Typ,) *Broad Band: 18.7 ~ 19.7GHz * Impedance Matched Zin/Zout = 508 *Hermetically Sealed Package (12 X 15 X 3.5mmi)

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FUJITSU

富士通

K-Band Power GaAs Modules

Fujitsu

富士通

TO-220

SANKEN

三垦

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模块

FAIRCHILD

仙童半导体

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SMT

ROHM/罗姆

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