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FCP380N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP380N60E	文件：302.31 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：302.31 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP380N60E	文件：332.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 10.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D 文件：332.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCPF380N60	文件：289.59 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：289.59 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCPF380N60	文件：653.11 Kbytes Page：10 Pages	FCP380N60 / FCPF380N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓文件：653.11 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCPF380N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FCP380N60E
功能描述：
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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