isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

无锡固电

丝印：FCPF400N80Z；Package：TO-220F；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 800 V, 11 A, 400 m

Description SUPERFET II MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide super

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，800 V，14 A，400 mΩ，TO-220F

SuperFET® II MOSFET 是飞兆半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt 速率和较高的雪崩能量而设计。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正 (PFC)、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 •典型值 RDS(on) = 340 mΩ\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 43 nC）\n•低有效输出电容（典型值 Cosseff. = 138 pF)\n•100%经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

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功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，800 V，14 A，400 mΩ，TO-220

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 此外，内部的栅源极 ESD 二极管使产品可承受超过 2 kV 的 HBM 冲击应力。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如音频、笔记本电源适配器、照明、ATX 电源及工业电源应用。 •典型值 RDS(on) = 340 mΩ\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 43 nC)\n•低 Eoss（典型值 4.1 uJ @ 400 V)\n•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 138 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•改进了 ESD 防护能力;

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Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® II, 800 V, 14 A, 400 mΩ, TO-220F Ultra narrow lead

SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt ra •Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 43 nC)\n• Ultra narrow lead\n•Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 138 pF)\n• Ultra narrow lead\n•Low Eoss (Typ. 4.1 uJ @ 400 V)\n• Ultra narrow lead\n•Typ. RDS(on) = 340 mΩ\n•100% Avalanche Tested\n•RoHS Compliant\n•ESD Improved Capability;

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