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FCP190N65F	文件：301.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP190N65F	文件：1.21177 Mbytes Page：9 Pages	LCD / LED / PDP TV	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP190N65S3	文件：919.96 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FCP190N65S3	文件：320.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP1913H104J-E2	文件：291.02 Kbytes Page：8 Pages	Stable Stacked Metallized Film (PPS) Chips for Reflow Soldering	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
FCP1913H104J-E3	文件：387.5 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Film Capacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
FCP1913H473J-E1	文件：387.5 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Film Capacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
FCP1913H473J-E1	文件：291.02 Kbytes Page：8 Pages	Stable Stacked Metallized Film (PPS) Chips for Reflow Soldering	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
FCP1913H563J-E1	文件：291.02 Kbytes Page：8 Pages	Stable Stacked Metallized Film (PPS) Chips for Reflow Soldering	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
FCP1913H563J-E2	文件：387.5 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Film Capacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE

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详细参数

型号：
FCP
功能描述：
薄膜电容器 0.001uF 16Volts
RoHS：
否
制造商：
Cornell Dubilier
电介质：
Polyester
电容：
0.047 uF
容差：
10 %
电压额定值：
100 V
系列：
225P
工作温度范围：
- 55 C to + 85 C
端接类型：
Radial
引线间隔：
9.5 mm

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳美顺电子科技有限公司	FCPF11N60	FAIRCHILD	14CN	TO-220F	2000	原厂直销	询价
深圳市博浩通科技有限公司	FCP11N60	FAIRCHILD	23+	TO-220	11000	全新原装	询价
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深圳宇航军工半导体有限公司	FCPF11N65C3	NA	19+		70855	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
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