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FCP	文件：291.02 Kbytes Page：8 Pages	Stable Stacked Metallized Film (PPS) Chips for Reflow Soldering	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
FCP104N60	文件：788.1 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET II MOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconductionloss,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP104N60	文件：332.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP104N60F	文件：854.99 Kbytes Page：8 Pages	AC-DC Power Supply Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP104N60F	文件：337.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Lighting •AC-DCPowerSupply •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤104mΩ •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP110N65F	文件：709.12 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP110N65F	文件：331.49 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=110mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP11N60	文件：810.42 Kbytes Page：10 Pages	SuperFET GeneralDescription SuperFET™isanewgenerationofhighvoltageMOSFETsfromFairchildwithoutstandinglowon-resistanceandlowgatechargeperformance,aresultofproprietarytechnologyutilizingadvancedchargebalancemechanisms.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizecond	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP11N60	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWM Combination Controller Introduction Thisapplicationnotedescribesstep-by-stepdesignconsiderationsforapowersupplyusingtheFAN480Xcontroller.TheFAN480XcombinesaPFCcontrollerandaPWMcontroller.ThePFCcontrolleremploysaveragecurrentmodecontrolforContinuousConductionMode(CCM)boostconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP11N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FCP
功能描述：
薄膜电容器 0.001uF 16Volts
RoHS：
否
制造商：
Cornell Dubilier
电介质：
Polyester
电容：
0.047 uF
容差：
10 %
电压额定值：
100 V
系列：
225P
工作温度范围：
- 55 C to + 85 C
端接类型：
Radial
引线间隔：
9.5 mm

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