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FCP104N60F	文件：854.99 Kbytes Page：8 Pages	AC-DC Power Supply Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP104N60F	文件：337.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Lighting •AC-DCPowerSupply •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤104mΩ •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCH104N60	文件：771.09 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelSuperFET짰IIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH104N60	文件：766.92 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelSuperFETIIMOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconductionloss,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH104N60	文件：405.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCH104N60F	文件：372.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCH104N60F	文件：579.37 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelSuperFET짰IIFRFET짰MOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP104N60	文件：332.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP104N60	文件：788.1 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperFETIIMOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconductionloss,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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更多FCP104N60F供应商更新时间2025-7-12 16:36:00

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