N-Channel SupreMOS짰 MOSFET 600 V, 25 A, 125 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel SupreMOS짰 MOSFET 600 V, 25 A, 125 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，25 A，125 mΩ，I2PAK

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 •RDS(on) =107mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 12.5A\n•超低栅极电荷（典型值Qg = 57nC )\n•低有效输出电容（典型值Coss.eff = 262pF )\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel SupreMOS짰 MOSFET 600 V, 25 A, 125 m廓

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DIODES

美台半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.125Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

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ISC

无锡固电

600V/25A Trench Field Stop IGBT

IGBT Features 600V,25A VCE(sat)(typ.)=2.1V@VGE=15V,IC=25A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA

文件：2.19884 Mbytes 页数：6 Pages

LUGUANG

鲁光电子