N-Channel SuperFET FRFET MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，FRFET®， 600 V，47 A，73 mΩ，TO-247

SuperFET®MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SuperFET FRFET®MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。 •650V @TJ = 150°C\n•典型值RDS(on) = 62mΩ\n•快速恢复类型 ( trr = 240ns )\n•超低栅极电荷（典型值Qg = 210nC )\n•低有效输出电容（典型值Coss.eff = 420pF )\n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体

600 V、47 A、66 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET™

SuperFETTM 是飞兆专有的新一代高压 MOSFET 系列产品，它利用了先进的电荷平衡机制，实现出色的低导通电阻并更低栅极电荷性能。 这一先进技术是专为最大程度地降低导通损耗，提供卓越开关性能，以及承受高雪崩和极端 dv/dt 比率而定制的。 因此，SuperFET 特别适合各种车用 DC/DC 电源转换。 •典型值 rDS(on) = 66mΩ（VGS = 10V, ID = 47A）\n•典型值 Qg(tot) = 190nC（VGS = 10V, ID = 47A）\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体