N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

600 V、47 A、66 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET™

SuperFETTM 是飞兆专有的新一代高压 MOSFET 系列产品，它利用了先进的电荷平衡机制，实现出色的低导通电阻并更低栅极电荷性能。 这一先进技术是专为最大程度地降低导通损耗，提供卓越开关性能，以及承受高雪崩和极端 dv/dt 比率而定制的。 因此，SuperFET 特别适合各种车用 DC/DC 电源转换。 •典型值 rDS(on) = 66mΩ（VGS = 10V, ID = 47A）\n•典型值 Qg(tot) = 190nC（VGS = 10V, ID = 47A）\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET – N-Channel

Features • Typical rDS(on) = 66 m at VGS = 10 V, ID = 47 A • Typical Qg(tot) = 190 nC at VGS = 10 V, ID = 47 A • UIS Capability • Qualified to AEC Q101 and PPAP Capable • This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant Applications • Automotive On Board Charger • Automotive DC/DC Converter

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ONSEMI

安森美半导体

ON
N/O

ON

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