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FCH165N65S3R0	文件：372.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：372.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多FCH165N65S3R0供应商更新时间2025-9-21 14:09:00