FCPF600N65S3R0L芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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FCPF600N65S3R0L	文件：255.37 Kbytes Page：9 Pages	丝印：FCPF600N65S3R0；Package：TO-220F；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 文件：255.37 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FCPF600N65S3R0L	文件：322.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCPF600N65S3R0L-F154	文件：255.37 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 文件：255.37 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多FCPF600N65S3R0供应商更新时间2025-9-21 16:12:00